MSG36C42 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSG36C42  📄📄 

Маркировка: 6F

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.13 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSSMINI6F1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MSG36C42

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSG36C42 даташит

 ..1. Size:320K  panasonic
 msg36c42.pdf pdf_icon

MSG36C42

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MSG36C42 SiGe HBT type For low-noise RF amplifier Features Package Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency Code Low-noise, high-gain amplification SSSMini6-F1 Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated) Pin Name SSSMini type package,

 9.1. Size:709K  panasonic
 msg36d42.pdf pdf_icon

MSG36C42

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Transistors MSG36D42 SiGe HBT type For low-noise RF amplifier Unit mm 0.12+0.03 Features -0.02 6 5 4 Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency 0 to 0.02 Low-noise, high-gain amplification Two elements incorporated into one package (Each

 9.2. Size:246K  panasonic
 msg36e31.pdf pdf_icon

MSG36C42

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Transistors MSG36E31 SiGe HBT type For low-noise RF amplifier Unit mm Features Compatible between high breakdown voltage and high cut-off frequency 0.12+0.03 -0.02 6 5 4 Low noise, high-gain amplification Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated) 0 to 0.02 Reduction

Другие транзисторы: MSD42, MSD42SWT1G, MSD42T1G, MSD42WT1G, MSD601-R, MSD601-RT1G, MSD602-RT1, MSD602-RT1G, TIP31, MSG36D42, MSG36E31, MSG36E41, MSG43001, MSG43002, MSG43003, MSG43004, MSG430C4