MSG36E41 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSG36E41  📄📄 

Маркировка: 6D

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.13 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 17000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSSMINI6F1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MSG36E41

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSG36E41 даташит

 8.1. Size:246K  panasonic
 msg36e31.pdf pdf_icon

MSG36E41

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Transistors MSG36E31 SiGe HBT type For low-noise RF amplifier Unit mm Features Compatible between high breakdown voltage and high cut-off frequency 0.12+0.03 -0.02 6 5 4 Low noise, high-gain amplification Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated) 0 to 0.02 Reduction

 9.1. Size:320K  panasonic
 msg36c42.pdf pdf_icon

MSG36E41

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MSG36C42 SiGe HBT type For low-noise RF amplifier Features Package Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency Code Low-noise, high-gain amplification SSSMini6-F1 Two elements incorporated into one package (Each transistor is separated) Pin Name SSSMini type package,

 9.2. Size:709K  panasonic
 msg36d42.pdf pdf_icon

MSG36E41

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Transistors MSG36D42 SiGe HBT type For low-noise RF amplifier Unit mm 0.12+0.03 Features -0.02 6 5 4 Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency 0 to 0.02 Low-noise, high-gain amplification Two elements incorporated into one package (Each

Другие транзисторы: MSD42WT1G, MSD601-R, MSD601-RT1G, MSD602-RT1, MSD602-RT1G, MSG36C42, MSG36D42, MSG36E31, 2SD2499, MSG43001, MSG43002, MSG43003, MSG43004, MSG430C4, MSG430D4, MT3S106FS, MT3S111