MT3S113TU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT3S113TU  📄📄 

Маркировка: R7

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0.6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: 2-2U1B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT3S113TU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S113TU даташит

 ..1. Size:176K  toshiba
 mt3s113tu.pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm 2.1 0.1 1.7 0.1 FEATURES Low Noise Figure NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 High Gain S21e 2=12.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) 2 3 Marking 3 1. 1. Base 2. 2. Emitter R 7 3. 3

 ..2. Size:178K  toshiba
 mt3s113tu .pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm 2.1 0.1 1.7 0.1 FEATURES Low Noise Figure NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 High Gain S21e 2=12.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) 2 3 Marking 3 1. 1. Base 2. 2. Emitter R 7 3. 3

 7.1. Size:201K  toshiba
 mt3s113.pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm FEATURES Low Noise Figure NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain S21e 2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base 2. Emitter 3. Collector S-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 7.2. Size:203K  toshiba
 mt3s113 .pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm FEATURES Low Noise Figure NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain S21e 2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base 2. Emitter 3. Collector S-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MSG430C4, MSG430D4, MT3S106FS, MT3S111, MT3S111P, MT3S111TU, MT3S113, MT3S113P, 13005, MT4S102T, MT4S102U, MT4S300U, MT4S301U, MT6L03AE, MT6L04AE, MT6L71FS, MT6L76FS