Справочник транзисторов. MT3S113TU

 

Биполярный транзистор MT3S113TU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT3S113TU
   Маркировка: R7
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.3 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0.6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: 2-2U1B
 

 Аналог (замена) для MT3S113TU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S113TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  toshiba
 mt3s113tu.pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mm2.10.11.70.1FEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 High Gain:|S21e|2=12.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) 2 3 Marking 3 1. 1. Base2. 2. EmitterR 7 3. 3

 ..2. Size:178K  toshiba
 mt3s113tu .pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mm2.10.11.70.1FEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 High Gain:|S21e|2=12.5dB(Typ.) (@ f=1GHz) 2 3 Marking 3 1. 1. Base2. 2. EmitterR 7 3. 3

 7.1. Size:201K  toshiba
 mt3s113.pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

 7.2. Size:203K  toshiba
 mt3s113 .pdf pdf_icon

MT3S113TU

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MSG430C4 , MSG430D4 , MT3S106FS , MT3S111 , MT3S111P , MT3S111TU , MT3S113 , MT3S113P , S9013 , MT4S102T , MT4S102U , MT4S300U , MT4S301U , MT6L03AE , MT6L04AE , MT6L71FS , MT6L76FS .

History: IMX3FRA

 

 
Back to Top

 


 
.