Биполярный транзистор MP4304 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MP4304
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 600
Корпус транзистора: 2-32C1B
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MP4304 Datasheet (PDF)
mp4304.pdf

MP4304 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (high gain power transistor 4 in 1) MP4304 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25C) T
mp4305.pdf

MP4305 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4305 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25C) T
mp4301 .pdf

MP4301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Four Darlington Power Transistor in One) MP4301 High Power Switching Applications Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : PT = 4.4 W (Ta = 25C) High collector curren
mp4303.pdf

MP4303 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4303 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit: mmHammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Small package by full molding (SIP 12 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25C) T
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | MJE13003DP | MP4506 | NSVT45010MW6T3G | 40980
History: PN4142 | SGSIF444 | MJE13003DP | MP4506 | NSVT45010MW6T3G | 40980



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06