BD159G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD159G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO225

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD159G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD159G даташит

 ..1. Size:56K  onsemi
 bd159g.pdf pdf_icon

BD159G

BD159 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. http //onsemi.com Features Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment 0.5 AMPERE Thermopadt Construction Provides High Power Dissipation Rating POWER TRANSISTOR for High Reliability NPN SILICON

 9.1. Size:100K  motorola
 bd157 bd158 bd159.pdf pdf_icon

BD159G

Order this document MOTOROLA by BD157/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD157 BD158 Plastic Medium Power NPN BD159 Silicon Transistor . . . designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS Suitable for Transformerless, Line Operated Equipment NPN SILICON Thermopad Construction Provides

 9.2. Size:38K  fairchild semi
 bd157 bd158 bd159.pdf pdf_icon

BD159G

BD157/158/159 Low Power Fast Switching Output Stages For T.V Radio Audio Output Amplifiers TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD157 275 V BD158 325 V BD159 375 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD157 250 V BD158 300

 9.3. Size:56K  onsemi
 bd159-d.pdf pdf_icon

BD159G

BD159 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor This device is designed for power output stages for television, radio, phonograph and other consumer product applications. http //onsemi.com Features Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment 0.5 AMPERE Thermopadt Construction Provides High Power Dissipation Rating POWER TRANSISTOR for High Reliability NPN SILICON

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MPQ6002, MPQ6100A, MPQ6502, MPQ6700, MPQ7043, MPQ7053, MPQ7093, BD135TG, 2N3906, BD179G, BD180G, BD241CG, BD242BG, BD242CG, BD243CG, BD244BG, BD244CG