Биполярный транзистор BD159G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD159G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO225
BD159G Datasheet (PDF)
bd159g.pdf
BD159Plastic Medium PowerNPN Silicon TransistorThis device is designed for power output stages for television, radio,phonograph and other consumer product applications.http://onsemi.comFeatures Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment0.5 AMPERE Thermopadt Construction Provides High Power Dissipation RatingPOWER TRANSISTORfor High ReliabilityNPN SILICON
bd157 bd158 bd159.pdf
Order this documentMOTOROLAby BD157/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD157BD158Plastic Medium Power NPNBD159Silicon Transistor. . . designed for power output stages for television, radio, phonograph and otherconsumer product applications. 0.5 AMPEREPOWER TRANSISTORS Suitable for Transformerless, LineOperated EquipmentNPN SILICON Thermopad{ Construction Provides
bd157 bd158 bd159.pdf
BD157/158/159Low Power Fast Switching Output Stages For T.V Radio Audio Output AmplifiersTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : BD157 275 V : BD158 325 V : BD159 375 V VCEO Collector-Emitter Voltage : BD157 250 V : BD158 300
bd159-d.pdf
BD159Plastic Medium PowerNPN Silicon TransistorThis device is designed for power output stages for television, radio,phonograph and other consumer product applications.http://onsemi.comFeatures Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment0.5 AMPERE Thermopadt Construction Provides High Power Dissipation RatingPOWER TRANSISTORfor High ReliabilityNPN SILICON
bd159.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD159DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 30~240(Min) @ I = 50mAFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power output stages for television, radio,phonograph and other consumer product applications.ABSOL
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050