BD676G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BD676G 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Корпус транзистора: TO225
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BD676G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD676G даташит
bd676g.pdf
BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682, BD682T Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons http //onsemi.com This series of plastic, medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary 4.0 AMP DARLINGTON general-purpose amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features PNP SILICON High DC Current Gain - 45, 60, 80, 100 V
bd676 bd678 bd680 bd682.pdf
Order this document MOTOROLA by BD676/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD676 BD676A Plastic Medium-Power BD678 Silicon PNP Darlingtons BD678A . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- BD680 tions. High DC Current Gain BD680A hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic Construction BD682 BD676, 676A, 678, 678A, 680
bd676a bd678a bd680a bd682.pdf
BD676A/678A/680A/682 Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively TO-126 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD676A - 45 V BD678A - 60 V
bd676ag.pdf
BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682, BD682T Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons http //onsemi.com This series of plastic, medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary 4.0 AMP DARLINGTON general-purpose amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features PNP SILICON High DC Current Gain - 45, 60, 80, 100 V
Другие транзисторы: BD438G, BD439G, BD440G, BD441G, BD442G, BD675AG, BD675G, BD676AG, BD135, BD677AG, BD677G, BD678AG, BD678G, BD679AG, BD679G, BD680AG, BD680G
History: 2SC4124 | 2SC4128
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488






