Справочник транзисторов. BD683A

 

Биполярный транзистор BD683A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD683A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO225
 

 Аналог (замена) для BD683A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD683A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  comset
bd683a.pdfpdf_icon

BD683A

NPN BD683 BD683A SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD683 and BD683A are NPN eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. PNP complements are BD684 and BD684A. Compliance to RoHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VCB

 9.1. Size:72K  comset
bd684 bd683.pdfpdf_icon

BD683A

PNP BD684 NPN BD683 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORSThe BD684 are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit-VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V-VCBO Collector-Base Voltage 120 V-VEBO E

 9.2. Size:176K  cdil
bd675 bd677 bd679 bd681 bd683.pdfpdf_icon

BD683A

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTORS BD675, BD675ABD677, BD677ABD679, BD679ABD681, BD683TO126 Plastic PackageECBComplementary BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 & 684ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BD675 677 679 681 683 UNITSBD675A 677A 679AVCBOCollector B

 9.3. Size:208K  inchange semiconductor
bd683.pdfpdf_icon

BD683A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD683DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 120V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min)@ I = 1.5AFE CComplement to Type BD684Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in complementary

Другие транзисторы... BD679AG , BD679G , BD680AG , BD680G , BD681A , BD681G , BD682A , BD682G , 2SC2655 , BD684A , BD772-GR , BD772-O , BD772-R , BD772-Y , BD810G , BD882-GR , BD882-O .

History: DSA8102

 

 
Back to Top

 


 
.