BD683A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD683A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO225

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD683A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD683A даташит

 ..1. Size:64K  comset
 bd683a.pdf pdf_icon

BD683A

NPN BD683 BD683A SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD683 and BD683A are NPN eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. PNP complements are BD684 and BD684A. Compliance to RoHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VCB

 9.1. Size:72K  comset
 bd684 bd683.pdf pdf_icon

BD683A

PNP BD684 NPN BD683 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD684 are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit -VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V -VCBO Collector-Base Voltage 120 V -VEBO E

 9.2. Size:176K  cdil
 bd675 bd677 bd679 bd681 bd683.pdf pdf_icon

BD683A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTORS BD675, BD675A BD677, BD677A BD679, BD679A BD681, BD683 TO126 Plastic Package E C B Complementary BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 & 684 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BD675 677 679 681 683 UNITS BD675A 677A 679A VCBO Collector B

 9.3. Size:208K  inchange semiconductor
 bd683.pdf pdf_icon

BD683A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD683 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = 120V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain h = 750(Min)@ I = 1.5A FE C Complement to Type BD684 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as output devices in complementary

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD679AG, BD679G, BD680AG, BD680G, BD681A, BD681G, BD682A, BD682G, 2SC945, BD684A, BD772-GR, BD772-O, BD772-R, BD772-Y, BD810G, BD882-GR, BD882-O