2N76 - описание и поиск аналогов

 

2N76. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N76

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 60 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO7

 Аналоги (замена) для 2N76

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N76 даташит

 0.1. Size:845K  genesic
 2n7639-ga.pdf pdf_icon

2N76

2N7639-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 600 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.3 V ID = 20 A RDS(ON) = 65 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 0.2. Size:467K  genesic
 2n7637-ga.pdf pdf_icon

2N76

2N7637-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.2 V ID = 7 A RDS(ON) = 170 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 0.3. Size:504K  genesic
 2n7635-ga.pdf pdf_icon

2N76

2N7635-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 4 A RDS(ON) = 425 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode Po

 0.4. Size:462K  genesic
 2n7638-ga.pdf pdf_icon

2N76

2N7638-GA Normally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.4 V ID = 8 A RDS(ON) = 180 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Gate oxide free SiC switch S Suitable for connecting an anti-parallel diode Positive temperature coefficient for ea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N757, 2N757A, 2N758, 2N758A, 2N758B, 2N759, 2N759A, 2N759B, 8550, 2N760, 2N760A, 2N760B, 2N761, 2N762, 2N768, 2N769, 2N77

 

 

 

 

↑ Back to Top
.