Биполярный транзистор BDW42G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDW42G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: TO220
BDW42G Datasheet (PDF)
bdw42g.pdf
BDW42G - NPN, BDW46G,BDW47G - PNPDarlington ComplementarySilicon Power TransistorsThis series of plastic, medium-power silicon NPN and PNPDarlington transistors are designed for general purpose and low speedhttp://onsemi.comswitching applications.Features15 AMP DARLINGTON High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc.COMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter
bdw42 bdw46 bdw47.pdf
Order this documentMOTOROLAby BDW42/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBDW42*Darlington ComplementaryPNPSilicon Power TransistorsBDW46. . . designed for general purpose and low speed switching applications. High DC Current Gain hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc. BDW47* Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:*Motorola Preferred DeviceVCEO(sus) = 80 Vdc (
stbdw42.pdf
ST BDW42 NPN Silicon Planar Darlington Power Transistors General Purpose and Low Speed Switching Application TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Emitter Voltage VCEO 100 VCollector Base Voltage VCBO 100 V Emitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current Continuous IC 15 A Base Currentt IB 0.5 AOTotal Powe
bdw42.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW42DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 1000(Min) @I = 5AFE CLow Collector Saturation Voltage: V = 2.0V(Max.)@ I = 5.0ACE(sat) C= 3.0V(Max.)@ I = 10ACComplement to Type BDW47Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable opera
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050