BDW46G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW46G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDW46G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW46G даташит

 ..1. Size:147K  onsemi
 bdw46g.pdf pdf_icon

BDW46G

BDW42G - NPN, BDW46G, BDW47G - PNP Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium-power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed http //onsemi.com switching applications. Features 15 AMP DARLINGTON High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. COMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter

 9.1. Size:176K  motorola
 bdw42 bdw46 bdw47.pdf pdf_icon

BDW46G

Order this document MOTOROLA by BDW42/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BDW42* Darlington Complementary PNP Silicon Power Transistors BDW46 . . . designed for general purpose and low speed switching applications. High DC Current Gain hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc. BDW47* Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc *Motorola Preferred Device VCEO(sus) = 80 Vdc (

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bdw46.pdf pdf_icon

BDW46G

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW46 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -80V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = -5A FE C Low Collector Saturation Voltage V = -2.0V(Max.)@ I = -5.0A CE(sat) C = -3.0V(Max.)@ I = -10A C Complement to Type BDW41 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable

Другие транзисторы: BDS29BN2, BDS29CM3A, BDS29CN2, BDS29CSMD, BDV64BG, BDV65BG, BDW24B, BDW42G, A1941, BDW47G, BDW52B, BDX14A, BDX14S, BDX16A, BDX18A, BDX33BG, BDX33CG