BFU520W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU520W  📄📄 

Маркировка: ZA*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU520W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU520W даташит

 ..1. Size:296K  nxp
bfu520w.pdfpdf_icon

BFU520W

BFU520W NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 13 January 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 3-pin SOT323 package. The BFU520W is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and benefits

 8.1. Size:329K  philips
bfu520.pdfpdf_icon

BFU520W

BFU520 NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU520 is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and bene

 8.2. Size:325K  philips
bfu520x.pdfpdf_icon

BFU520W

BFU520X NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package. The BFU520X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and be

 8.3. Size:332K  philips
bfu520xr.pdfpdf_icon

BFU520W

BFU520XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 5 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU520XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and

Другие транзисторы: BDY58A, BDY58S, BDY60-02, BDY71X, BDY76E, BDY90S, BFU520, BFU520A, 2SC2625, BFU520X, BFU520XR, BFU520Y, BFU530, BFU530A, BFU530W, BFU530X, BFU530XR