Справочник транзисторов. BFU550X

 

Биполярный транзистор BFU550X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU550X
   Маркировка: *TG
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.72 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT143B
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFU550X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  philips
bfu550x.pdfpdf_icon

BFU550X

BFU550XNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 5 March 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package.The BFU550X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and be

 ..2. Size:276K  nxp
bfu550x.pdfpdf_icon

BFU550X

BFU550XNPN wideband silicon RF transistorRev. 2 12 April 2019 Product data sheet1 Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package.The BFU550X is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal tomedium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and ben

 0.1. Size:331K  philips
bfu550xr.pdfpdf_icon

BFU550X

BFU550XRNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 14 March 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package.The BFU550XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and

 8.1. Size:324K  philips
bfu550.pdfpdf_icon

BFU550X

BFU550NPN wideband silicon RF transistorRev. 1 5 March 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143B package.The BFU550 is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and bene

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: STW2040

 

 
Back to Top

 


 
.