BLV948 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLV948  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 320 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT262

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLV948

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV948 даташит

 ..1. Size:145K  njs
 blv948.pdf pdf_icon

BLV948

 9.1. Size:86K  philips
 blv946.pdf pdf_icon

BLV948

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV946 UHF power transistor 1997 Oct 30 Product specification Supersedes data of 1995 Jun 29 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV946 FEATURES PINNING - SOT273A Internal input and output matching for easy matching, PIN DESCRIPTION high gain and efficiency 1 emitter Poly-silicon emitter ballasting resistors

Другие транзисторы: BFX34SMD, BFX34SMD05, BFX48DCSM, BFY90DCSM, BLD128DD, BLV38, BLV62, BLV80, MPSA42, BLV97CE, BLX65E, BLX65ES, BLY93H, BR3CA1353F, BR3CG3802, BR3CG984K, BR3DA122DK