BLX65ES datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLX65ES  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLX65ES

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLX65ES даташит

 ..1. Size:66K  njs
blx65es.pdfpdf_icon

BLX65ES

 8.1. Size:66K  njs
blx65e.pdfpdf_icon

BLX65ES

Другие транзисторы: BFY90DCSM, BLD128DD, BLV38, BLV62, BLV80, BLV948, BLV97CE, BLX65E, S9018, BLY93H, BR3CA1353F, BR3CG3802, BR3CG984K, BR3DA122DK, BR3DA6821K, BR3DD13002DG1K, BR3DD13002E1K