Биполярный транзистор BLX65ES Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BLX65ES
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам