Справочник транзисторов. BR3DG536K

 

Биполярный транзистор BR3DG536K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BR3DG536K
   Маркировка: BRA536
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для BR3DG536K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BR3DG536K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  blue-rocket-elect
 br3dg536k.pdf pdf_icon

BR3DG536K

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

 9.1. Size:309K  blue-rocket-elect
 br3dg1684.pdf pdf_icon

BR3DG536K

2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , High hFE, low VCE(sat). / Applications General purpose amplifier. / Equivalent Circuit

 9.2. Size:451K  blue-rocket-elect
 br3dg227k.pdf pdf_icon

BR3DG536K

KSD227(BR3DG227K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features KSA642BR3CG642K Complement to KSA642(BR3CG642K),PC=400Mw. / Applications Low frequency power amplifier.

Другие транзисторы... BR3DD13009X7R , BR3DD13009X8F , BR3DD13009X9P , BR3DD13009Z8F , BR3DD5555R , BR3DD6802Q , BR3DG1684 , BR3DG227K , 2SA1943 , BRF90G , BSV52LT1G , BSV62SMD , BSV62SMD05 , BSV64SMD , BSX20DCSM , BSX33CSM , BSX33DCSM .

 

 
Back to Top

 


 
.