BR3DG536K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BR3DG536K  📄📄 

Маркировка: BRA536

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BR3DG536K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BR3DG536K даташит

 ..1. Size:620K  blue-rocket-elect
 br3dg536k.pdf pdf_icon

BR3DG536K

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

 9.1. Size:309K  blue-rocket-elect
 br3dg1684.pdf pdf_icon

BR3DG536K

2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , High hFE, low VCE(sat). / Applications General purpose amplifier. / Equivalent Circuit

 9.2. Size:451K  blue-rocket-elect
 br3dg227k.pdf pdf_icon

BR3DG536K

KSD227(BR3DG227K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features KSA642 BR3CG642K Complement to KSA642(BR3CG642K),PC=400Mw. / Applications Low frequency power amplifier.

Другие транзисторы: BR3DD13009X7R, BR3DD13009X8F, BR3DD13009X9P, BR3DD13009Z8F, BR3DD5555R, BR3DD6802Q, BR3DG1684, BR3DG227K, BD140, BRF90G, BSV52LT1G, BSV62SMD, BSV62SMD05, BSV64SMD, BSX20DCSM, BSX33CSM, BSX33DCSM