BRF91G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF91G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: M236

 Аналоги (замена) для BRF91G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BRF91G даташит

 ..1. Size:116K  apt
 brf91 brf91g.pdf pdf_icon

BRF91G

140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE (215) 631-9840 FAX (215) 631-9855 BFR91 BFR91G RF & MICROWAVE DISCRETE * G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish LOW POWER TRANSISTORS Features High Current-Gain Bandwidth Product, fT = 5 GHz (typ) @ IC = 30 mA Low Noise Figure NF = 1.9 dB (typ) @ f = 0.5 GHz, 2.5 dB (typ) @ 1GHz High Power Gain

Другие транзисторы: BSX33DCSM, BSX36DCSM, BSX62SMD, BSX62SMD05, BSX63SMD, BSX64SMD, BSX64SMD05, BRF91, 2SC2073, BSP16T1G, BSP19AT1G, BSP20A, BSP52T1G, BSP52T3G, BSS50A, BSS51A, BSS52A