BRF91G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRF91G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Empaquetado / Estuche: M236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BRF91G
BRF91G Datasheet (PDF)
1.1. brf91g.pdf 
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140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE: (215) 631-9840 FAX: (215) 631-9855 BFR91 BFR91G RF & MICROWAVE DISCRETE * G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish LOW POWER TRANSISTORS Features • High Current-Gain – Bandwidth Product, fT = 5 GHz (typ) @ IC = 30 mA • Low Noise Figure – NF = 1.9 dB (typ) @ f = 0.5 GHz, 2.5 dB (typ) @ 1GHz • High Power Gain
5.1. brf91.pdf Size:116K _update
140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE: (215) 631-9840 FAX: (215) 631-9855 BFR91 BFR91G RF & MICROWAVE DISCRETE * G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish LOW POWER TRANSISTORS Features • High Current-Gain – Bandwidth Product, fT = 5 GHz (typ) @ IC = 30 mA • Low Noise Figure – NF = 1.9 dB (typ) @ f = 0.5 GHz, 2.5 dB (typ) @ 1GHz • High Power Gain
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