BSS50A - описание и поиск аналогов

 

BSS50A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS50A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BSS50A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS50A даташит

 ..1. Size:62K  comset
 bss50a bss51a bss52a.pdf pdf_icon

BSS50A

NPN BSS50A-51A-52A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . PNP complements are the BSS60A 61A 62A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Val

 9.1. Size:52K  philips
 bss50 bss51 bss52 3.pdf pdf_icon

BSS50A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSS50; BSS51; BSS52 NPN Darlington transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 May 13 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BSS50; BSS51; BSS52 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emi

Другие транзисторы... BSX64SMD05 , BRF91 , BRF91G , BSP16T1G , BSP19AT1G , BSP20A , BSP52T1G , BSP52T3G , MJE340 , BSS51A , BSS52A , BSS60A , BSS61A , BSS62A , BSS63LT1G , BSS63R , BSS64LT1G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.