BSS50A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSS50A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSS50A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS50A даташит

 ..1. Size:62K  comset
 bss50a bss51a bss52a.pdf pdf_icon

BSS50A

NPN BSS50A-51A-52A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . PNP complements are the BSS60A 61A 62A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Val

 9.1. Size:52K  philips
 bss50 bss51 bss52 3.pdf pdf_icon

BSS50A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSS50; BSS51; BSS52 NPN Darlington transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 May 13 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BSS50; BSS51; BSS52 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emi

Другие транзисторы: BSX64SMD05, BRF91, BRF91G, BSP16T1G, BSP19AT1G, BSP20A, BSP52T1G, BSP52T3G, S9014, BSS51A, BSS52A, BSS60A, BSS61A, BSS62A, BSS63LT1G, BSS63R, BSS64LT1G