BSS64LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSS64LT1G  📄📄 

Маркировка: AM

Тип материала: SI

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSS64LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS64LT1G даташит

 ..1. Size:69K  onsemi
bss64lt1g.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

BSS64LT1G Driver Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS www.onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO 80 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 120 Vdc 2 EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 100 mAdc 3 THERMAL CHARAC

 6.1. Size:77K  motorola
bss64lt1.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS64LT1/D Driver Transistor BSS64LT1 COLLECTOR NPN Silicon 3 1 BASE 2 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 80 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 120 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current Contin

 9.1. Size:47K  philips
bss64 4.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BSS64 NPN high-voltage transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Sep 04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BSS64 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 80 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Hig

 9.2. Size:62K  fairchild semi
bss64.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

BSS64 C E SOT-23 B Mark U3 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Col

Другие транзисторы: BSS50A, BSS51A, BSS52A, BSS60A, BSS61A, BSS62A, BSS63LT1G, BSS63R, 8550, BSS71CSM, BSS71DCSM, BSS73CSM, BSS73DCSM, BSS74CSM, 2SA1013-O, 2SA1013-R, 2SA1013-Y