BSS64LT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSS64LT1G
Маркировка: AM
Тип материала: SI
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BSS64LT1G
BSS64LT1G даташит
bss64lt1g.pdf
BSS64LT1G Driver Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS www.onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO 80 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 120 Vdc 2 EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 100 mAdc 3 THERMAL CHARAC
bss64lt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS64LT1/D Driver Transistor BSS64LT1 COLLECTOR NPN Silicon 3 1 BASE 2 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 80 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 120 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current Contin
bss64 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BSS64 NPN high-voltage transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Sep 04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BSS64 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 80 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Hig
bss64.pdf
BSS64 C E SOT-23 B Mark U3 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Col
Другие транзисторы... BSS50A , BSS51A , BSS52A , BSS60A , BSS61A , BSS62A , BSS63LT1G , BSS63R , BD135 , BSS71CSM , BSS71DCSM , BSS73CSM , BSS73DCSM , BSS74CSM , 2SA1013-O , 2SA1013-R , 2SA1013-Y .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198







