Справочник транзисторов. BSS64LT1G

 

Биполярный транзистор BSS64LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSS64LT1G
   Маркировка: AM
   Тип материала: SI
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BSS64LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  onsemi
bss64lt1g.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

BSS64LT1GDriver TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSwww.onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 80 VdcCollector-Base Voltage VCBO 120 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current - Continuous IC 100 mAdc3THERMAL CHARAC

 6.1. Size:77K  motorola
bss64lt1.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS64LT1/DDriver TransistorBSS64LT1COLLECTORNPN Silicon31BASE23EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 80 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 120 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Contin

 9.1. Size:47K  philips
bss64 4.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BSS64NPN high-voltage transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Sep 04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor BSS64FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 80 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Hig

 9.2. Size:62K  fairchild semi
bss64.pdfpdf_icon

BSS64LT1G

BSS64CESOT-23BMark: U3NPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose high voltage amplifiersand gas discharge display driving. Sourced from Process 16.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 120 VVEBO Emitter-Base Voltage 5.0 VIC Col

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SRC1203S | 2SC5321 | BD230-6

 

 
Back to Top

 


 
.