Биполярный транзистор 2SA1162-GR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1162-GR
Маркировка: SG
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 2SA1162-GR
2SA1162-GR Datasheet (PDF)
2sa1162-o 2sa1162-y 2sa1162-gr.pdf
2SA1162 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1162 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage and high current: VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) Excellent hFE linearity: hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE: hFE = 70 to 400 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementar
2sa1162-gr.pdf
MCC2SA1162-OTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SA1162-YMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-49332SA1162-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.15Watts of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current: 0.15A Collector-base Voltage: -50V Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperature rang
2sa1162-o.pdf
MCC2SA1162-OTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SA1162-YMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-49332SA1162-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.15Watts of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current: 0.15A Collector-base Voltage: -50V Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperature rang
2sa1162-y.pdf
MCC2SA1162-OTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SA1162-YMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-49332SA1162-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.15Watts of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current: 0.15A Collector-base Voltage: -50V Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperature rang
2sa1162-hf.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SA1162-HFSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features High voltage and high current1 2 High hFE: hFE = 70~400+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) +0.11.9-0.2 Complementary to 2SC2712-HF Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a1. Base Pb-Fre
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050