2SA1400-Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1400-Z  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1400-Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1400-Z даташит

 ..1. Size:215K  nec
 2sa1400-z 2sa1400.pdf pdf_icon

2SA1400-Z

 ..2. Size:39K  kexin
 2sa1400-z.pdf pdf_icon

2SA1400-Z

SMD Type Transistors Silicon Transistor 2SA1400-Z TO-252 Unit mm +0.15 +0.1 6.50-0.15 2.30-0.1 +0.2 +0.8 5.30-0.2 0.50-0.7 Features High Voltage VCEO=-400V High speed tr 1.0 s 0.127 +0.1 max 0.80-0.1 +0.1 2.3 0.60-0.1 1 Base +0.15 4.60-0.15 2 Collector 3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage VCBO -400 V Collec

 7.1. Size:200K  inchange semiconductor
 2sa1400z.pdf pdf_icon

2SA1400-Z

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1400Z DESCRIPTION High Collector-Emitter Voltage - V = -400V(Min) CEO Complement to Type 2SC3588Z Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage switching ,especially in Hybrid integrated cricuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

 8.1. Size:206K  toshiba
 2sa1408.pdf pdf_icon

2SA1400-Z

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1213-O, 2SA1213O-G, 2SA1213-Y, 2SA1213Y-G, 2SA1298-O, 2SA1298-Y, 2SA1386B, 2SA1386B-A, BD333, 2SA1412-Z, 2SA1416S-TD-E, 2SA1416T-TD-E, 2SA1417S-TD-E, 2SA1417T-TD-E, 2SA1418S-TD-E, 2SB1616, 2SA1419S-TD-H