2SA1419T-TD-E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1419T-TD-E  📄📄 

Маркировка: AE

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1419T-TD-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1419T-TD-E даташит

 2.1. Size:220K  onsemi
 2sa1419s 2sa1419s-td-h 2sa1419t 2sa1419t-td-h 2sc3649s 2sc3649s-td-h 2sc3649t 2sc3649t-td-h.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-E

Ordering number EN2007C 2SA1419/2SC3649 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCP Features Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC s Specifications ( ) 2SA1419 Absolute Maximum Ratings at

 7.1. Size:127K  sanyo
 2sa1419.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-E

 7.2. Size:305K  sanyo
 2sa1419 2sc3649.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-E

Ordering number EN2007B 2SA1419 / 2SC3649 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1419 / 2SC3649 High-Voltage Switching Applications Features Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC s. Specifications ( )

 7.3. Size:356K  onsemi
 2sa1419 2sc3649.pdf pdf_icon

2SA1419T-TD-E

Ordering number EN2007C 2SA1419/2SC3649 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 160V, 1.5A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCP Features Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC s Specifications ( ) 2SA1419 Absolute Maximum Ratings at

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1412-Z, 2SA1416S-TD-E, 2SA1416T-TD-E, 2SA1417S-TD-E, 2SA1417T-TD-E, 2SA1418S-TD-E, 2SB1616, 2SA1419S-TD-H, C945, 2SA1419T-TD-H, 2SA1464-P, 2SA1464-Q, 2SA1464-R, 2SA1514KFRA, 2SA1515S, 2SA1576AFRA, 2SA1576A-Q