2SC5814 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5814  📄📄 

Маркировка: EQ_ER_ES_EE_EF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.13 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5814

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5814 даташит

 ..1. Size:149K  isahaya
 2sc5814.pdf pdf_icon

2SC5814

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR 2SC5814 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit 2SC5814 is a super mini package silicon NPN epitaxial type transistor. It is designed for low frequency voltage application. FEATURE Low collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=0.3V max(@IC=30mA, IB=1.5mA) Fac

 8.1. Size:177K  toshiba
 2sc5810.pdf pdf_icon

2SC5814

2SC5810 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5810 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.1 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.17 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 85 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristi

 8.2. Size:180K  toshiba
 2sc5819.pdf pdf_icon

2SC5814

2SC5819 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5819 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.15 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.12 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 45 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = =

 8.3. Size:81K  panasonic
 2sc5813.pdf pdf_icon

2SC5814

Transistors 2SC5813 Silicon NPN epitaxial planar type For DC-DC converter Unit mm 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 Features 3 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing 1 2 (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolute Maximum Ratings Ta = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5659FHA, 2SC5663GP, 2SC5663TGP, 2SC5706-H, 2SC5706-TL-E, 2SC5706-TL-H, 2SC5707-E, 2SC5707-TL-E, 9014, 2SC5815, 2SC5876FRA, 2SC5964-TD-E, 2SC5964-TD-H, 2SC5974, 2SC5974A, 2SC5974B, 2SC5994-TD-E