2SC5964-TD-H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SC5964-TD-H
Маркировка: HA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 380 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SC5964-TD-H
2SC5964-TD-H Datasheet (PDF)
2sa2125 2sa2125-td-h 2sc5964 2sc5964-td-h.pdf
Ordering number EN7988B 2SA2125/2SC5964 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 3A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCP Applicaitons DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash Features Adoption of MBIT process Large current capacity Low collector to emitter saturation voltage High-speed switching Halogen free
2sa2125 2sc5964.pdf
Ordering number ENN7988 2SA2125 / 2SC5964 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2125 / 2SC5964 DC / DC Converter Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications
2sa2125 2sc5964.pdf
Ordering number EN7988B 2SA2125/2SC5964 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 3A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCP Applicaitons DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash Features Adoption of MBIT process Large current capacity Low collector to emitter saturation voltage High-speed switching Halogen free
2sc5966.pdf
Ordering number ENN7653 2SC5966 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5966 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High-speed. unit mm High breakdown voltage (VCBO=1700V). 2174A High reliability (Adoption of HVP process). [2SC5966] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1
Другие транзисторы... 2SC5706-TL-E , 2SC5706-TL-H , 2SC5707-E , 2SC5707-TL-E , 2SC5814 , 2SC5815 , 2SC5876FRA , 2SC5964-TD-E , A1013 , 2SC5974 , 2SC5974A , 2SC5974B , 2SC5994-TD-E , 2SC6017-E , 2SC6017-TL-E , 2SC6046 , 2SC6094-TD-E .
History: UNR521N
History: UNR521N
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h





