Справочник транзисторов. 2SC5964-TD-H

 

Биполярный транзистор 2SC5964-TD-H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5964-TD-H
   Маркировка: HA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 380 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 2SC5964-TD-H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5964-TD-H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  onsemi
 2sa2125 2sa2125-td-h 2sc5964 2sc5964-td-h.pdf pdf_icon

2SC5964-TD-H

Ordering number : EN7988B2SA2125/2SC5964Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 3A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPApplicaitons DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flashFeatures Adoption of MBIT process Large current capacity Low collector to emitter saturation voltage High-speed switching Halogen free

 7.1. Size:59K  sanyo
 2sa2125 2sc5964.pdf pdf_icon

2SC5964-TD-H

Ordering number : ENN79882SA2125 / 2SC5964PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA2125 / 2SC5964DC / DC Converter ApplicationsApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.Specifications

 7.2. Size:319K  onsemi
 2sa2125 2sc5964.pdf pdf_icon

2SC5964-TD-H

Ordering number : EN7988B2SA2125/2SC5964Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 3A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCPApplicaitons DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flashFeatures Adoption of MBIT process Large current capacity Low collector to emitter saturation voltage High-speed switching Halogen free

 8.1. Size:30K  sanyo
 2sc5966.pdf pdf_icon

2SC5964-TD-H

Ordering number : ENN76532SC5966NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5966Ultrahigh-Definition CRT DisplayHorizontal Deflection Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High-speed. unit : mm High breakdown voltage (VCBO=1700V). 2174A High reliability (Adoption of HVP process).[2SC5966] Adoption of MBIT process.5.63.416.03.12.82.0 2.1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC5706-TL-E , 2SC5706-TL-H , 2SC5707-E , 2SC5707-TL-E , 2SC5814 , 2SC5815 , 2SC5876FRA , 2SC5964-TD-E , 2SD313 , 2SC5974 , 2SC5974A , 2SC5974B , 2SC5994-TD-E , 2SC6017-E , 2SC6017-TL-E , 2SC6046 , 2SC6094-TD-E .

 

 
Back to Top

 


 
.