MJE1123 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE1123  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE1123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE1123 даташит

 ..1. Size:94K  njs
 mje1123.pdf pdf_icon

MJE1123

 0.1. Size:116K  motorola
 mje1123r.pdf pdf_icon

MJE1123

Order this document MOTOROLA by MJE1123/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJE1123 Bipolar Power PNP Low Dropout Regulator PNP LOW DROPOUT TRANSISTOR Transistor 4.0 AMPERES 40 VOLTS The MJE1123 is an applications specific device designed to provide low dropout linear regulation for switching regulator post regulators, battery powered systems and other applications. The MJE1123 is

Другие транзисторы: 2SD2098GP, 2SD2098PGP, 2SD2137A, 2SD2144S, 2SD2152, 2SD2173, 2SD2227S, 2SD2318, BC547, MJE13001A0, MJE13001A1, MJE13001A2, MJE13001AT, MJE13001B1, MJE13001C0, MJE13001C1, MJE13001C2