MJE243G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE243G  📄📄 

Маркировка: JE243

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE243G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE243G даташит

 ..1. Size:183K  onsemi
 mje243g.pdf pdf_icon

MJE243G

MJE243 - NPN, MJE253 - PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications. http //onsemi.com Features 4.0 AMPERES High Collector-Emitter Sustaining Voltage - POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc COMPLEMENTARY SILICON hFE =

 ..2. Size:157K  onsemi
 mje243g mje253g.pdf pdf_icon

MJE243G

 8.1. Size:235K  motorola
 mje243re.pdf pdf_icon

MJE243G

Order this document MOTOROLA by MJE243/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Complementary Silicon Power * MJE243 Plastic Transistors PNP . . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching * MJE253 applications. High Collector Emitter Sustaining Voltage *Motorola Preferred Device VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) MJE243, MJE253 High DC

 8.2. Size:187K  onsemi
 mje243 mje253.pdf pdf_icon

MJE243G

MJE243 - NPN, MJE253 - PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications. http //onsemi.com Features 4.0 AMPERES High Collector-Emitter Sustaining Voltage - POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc COMPLEMENTARY SILICON hFE =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE18004G, MJE18008G, MJE180G, MJE181G, MJE182G, MJE200G, MJE210G, MJE210T, TIP42, MJE253G, MJE270G, MJE271G, MJE2955A, MJE2955TG, MJE3055A, MJE3055TG, MJE340G