MJF127G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJF127G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJF127G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF127G даташит

 ..1. Size:150K  onsemi
 mjf127g.pdf pdf_icon

MJF127G

MJF122, MJF127 Complementary Power Darlingtons For Isolated Package Applications Designed for general-purpose amplifiers and switching http //onsemi.com applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis. COMPLEMENTARY SILICON Features POWER DARLINGTONS Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127

 8.1. Size:267K  motorola
 mjf122 mjf127.pdf pdf_icon

MJF127G

 9.1. Size:189K  inchange semiconductor
 mjf122g.pdf pdf_icon

MJF127G

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJF122 DESCRIPTION With TO-220F package DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage Complement to type MJF127 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter ABSOLUTE MAXI

Другие транзисторы: MJE6045T, MJE700G, MJE702G, MJE703G, MJE800G, MJE802G, MJE803G, MJF122G, MJE350, MJF13009, MJF15030G, MJF15031G, MJF18004G, MJF18008G, MJF2955G, MJF3055G, MJF31CG