MJF13009 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MJF13009 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MJF13009
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для MJF13009

 

MJF13009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  njs
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13009

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13009

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13009 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 1.5 (Max) @ I = 8.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are p

 7.1. Size:207K  inchange semiconductor
 mjf13005.pdf pdf_icon

MJF13009

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13005 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 0.6(Max.) @ I = 2.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are p

 7.2. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13007.pdf pdf_icon

MJF13009

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13007 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 2.0(Max) @ I = 5.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are pa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJE700G , MJE702G , MJE703G , MJE800G , MJE802G , MJE803G , MJF122G , MJF127G , D882P , MJF15030G , MJF15031G , MJF18004G , MJF18008G , MJF2955G , MJF3055G , MJF31CG , MJF32CG .

 

 
Back to Top

 


 
.