MJF13009 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJF13009  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJF13009

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF13009 даташит

 ..1. Size:80K  njs
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13009

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13009.pdf pdf_icon

MJF13009

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13009 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 1.5 (Max) @ I = 8.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are p

 7.1. Size:207K  inchange semiconductor
 mjf13005.pdf pdf_icon

MJF13009

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13005 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 0.6(Max.) @ I = 2.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are p

 7.2. Size:215K  inchange semiconductor
 mjf13007.pdf pdf_icon

MJF13009

isc Silicon NPN Power Transistor MJF13007 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 2.0(Max) @ I = 5.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are pa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE700G, MJE702G, MJE703G, MJE800G, MJE802G, MJE803G, MJF122G, MJF127G, D882P, MJF15030G, MJF15031G, MJF18004G, MJF18008G, MJF2955G, MJF3055G, MJF31CG, MJF32CG