Биполярный транзистор MJF3055G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJF3055G
Маркировка: F3055
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO220F
MJF3055G Datasheet (PDF)
mjf3055g.pdf
MJF3055 (NPN),MJF2955 (PNP)ComplementarySilicon Power TransistorsSpecifically designed for general purpose amplifier and switchingapplications.http://onsemi.comFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min) Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955TPOWER TRANSISTORS Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) 90
mjf3055 mjf2955.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJF3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJF3055ComplementaryPNPMJF2955Silicon Power Transistors. . . specifically designed for general purpose amplifier and switching applications. Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min) Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955T COMPLEMENTARY CollectorEmitter Sustaining V
mjf3055 mjf2955.pdf
MJF3055 (NPN),MJF2955 (PNP)ComplementarySilicon Power TransistorsSpecifically designed for general purpose amplifier and switchingapplications.http://onsemi.comFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON Isolated Overmold Package (1500 Volts RMS Min) Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955TPOWER TRANSISTORS Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) 90
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
