MJF47G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJF47G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 28.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для MJF47G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF47G даташит

 ..1. Size:185K  onsemi
mjf47g.pdfpdf_icon

MJF47G

MJF47G High Voltage Power Transistor Isolated Package Applications Designed for line operated audio output amplifiers, switching power http //onsemi.com supply drivers and other switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis. NPN SILICON POWER TRANSISTOR Features Electrically Similar to the Po

 9.1. Size:160K  motorola
mjf47rev.pdfpdf_icon

MJF47G

Order this document MOTOROLA by MJF47/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJF47 High Voltage Power Transistor NPN SILICON Isolated Package Applications POWER TRANSISTOR Designed for line operated audio output amplifiers, switching power supply drivers 1 AMPERE and other switching applications, where the mounting surface of the device is required 250 VOLTS to be electrically isolated from

 9.2. Size:130K  onsemi
mjf47.pdfpdf_icon

MJF47G

MJF47 High Voltage Power Transistor Isolated Package Applications Designed for line operated audio output amplifiers, switching power http //onsemi.com supply drivers and other switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the NPN SILICON heatsink or chassis. POWER TRANSISTOR Features 1 AMPERE Electrically Similar

Другие транзисторы: MJF18004G, MJF18008G, MJF2955G, MJF3055G, MJF31CG, MJF32CG, MJF44H11G, MJF45H11G, TIP41C, MJF6388G, MJF6668, MJF6668G, MJH11017G, MJH11019G, MJH11020G, MJH11021G, MJH11022G