MJH11017G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJH11017G

Маркировка: MJH11017

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO218 TO247

 Аналоги (замена) для MJH11017G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJH11017G даташит

 ..1. Size:141K  onsemi
 mjh11017g.pdf pdf_icon

MJH11017G

MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP) MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) Complementary Darlington http //onsemi.com Silicon Power Transistors These devices are designed for use as general purpose amplifiers, 15 AMPERE DARLINGTON low frequency switching and motor control applications. COMPLEMENTARY SILICON Features POWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

 6.1. Size:212K  motorola
 mjh11017 mjh11018 mjh11019 mjh11020 mjh11021 mjh11022.pdf pdf_icon

MJH11017G

Order this document MOTOROLA by MJH11017/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJH10012 (See MJ10012) Complementary Darlington PNP Silicon Power Transistors * MJH11017 . . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. MJH11019* High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (All Types) Collector Emitter Sustaining Vo

 6.2. Size:222K  inchange semiconductor
 mjh11017.pdf pdf_icon

MJH11017G

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJH11017 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 400(Min)@ I = -10A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -150V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.5V(Max)@ I = -10A CE(sat) C = -4.0V(Max)@ I = -15A C Complement to Type MJH11018 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance

 7.1. Size:141K  onsemi
 mjh11019g.pdf pdf_icon

MJH11017G

MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP) MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) Complementary Darlington http //onsemi.com Silicon Power Transistors These devices are designed for use as general purpose amplifiers, 15 AMPERE DARLINGTON low frequency switching and motor control applications. COMPLEMENTARY SILICON Features POWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJF31CG, MJF32CG, MJF44H11G, MJF45H11G, MJF47G, MJF6388G, MJF6668, MJF6668G, 2N5551, MJH11019G, MJH11020G, MJH11021G, MJH11022G, MJH16010, MJH16010A, MJH16012, MJH16018