Справочник транзисторов. MJH11017G

 

Биполярный транзистор MJH11017G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJH11017G
   Маркировка: MJH11017
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO218 TO247
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJH11017G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  onsemi
 mjh11017g.pdf pdf_icon

MJH11017G

MJH11017, MJH11019,MJH11021 (PNP)MJH11018, MJH11020,MJH11022 (NPN)Complementary Darlingtonhttp://onsemi.comSilicon Power TransistorsThese devices are designed for use as general purpose amplifiers,15 AMPERE DARLINGTONlow frequency switching and motor control applications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

 6.1. Size:212K  motorola
 mjh11017 mjh11018 mjh11019 mjh11020 mjh11021 mjh11022.pdf pdf_icon

MJH11017G

Order this documentMOTOROLAby MJH11017/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJH10012(See MJ10012)Complementary DarlingtonPNPSilicon Power Transistors*MJH11017. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching andmotor control applications.MJH11019* High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (All Types) CollectorEmitter Sustaining Vo

 6.2. Size:222K  inchange semiconductor
 mjh11017.pdf pdf_icon

MJH11017G

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJH11017DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 400(Min)@ I = -10AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -150V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.5V(Max)@ I = -10ACE(sat) C= -4.0V(Max)@ I = -15ACComplement to Type MJH11018Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance

 7.1. Size:141K  onsemi
 mjh11019g.pdf pdf_icon

MJH11017G

MJH11017, MJH11019,MJH11021 (PNP)MJH11018, MJH11020,MJH11022 (NPN)Complementary Darlingtonhttp://onsemi.comSilicon Power TransistorsThese devices are designed for use as general purpose amplifiers,15 AMPERE DARLINGTONlow frequency switching and motor control applications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJF31CG , MJF32CG , MJF44H11G , MJF45H11G , MJF47G , MJF6388G , MJF6668 , MJF6668G , AC125 , MJH11019G , MJH11020G , MJH11021G , MJH11022G , MJH16010 , MJH16010A , MJH16012 , MJH16018 .

History: 2N2477 | 3CG764 | KRA755E | KT8215A

 

 
Back to Top

 


 
.