Справочник транзисторов. 3CD1010

 

Биполярный транзистор 3CD1010 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CD1010
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3CD1010

 

 

3CD1010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  lzg
3cd1010.pdf

3CD1010
3CD1010

2SA1010(3CD1010) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :DC/DC Purpose: Use for high voltage high speed switching, for a drive in devices such as switching regulators, DC/DC converters, high frequency power amplifiers. 2SC2334(3DD2334)

 9.1. Size:123K  china
3cd100.pdf

3CD1010

3CD100 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V ICBO VCB=50V

 9.2. Size:228K  lzg
3cd1094.pdf

3CD1010
3CD1010

2SB1094(3CD1094) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : 2SD1585(3DD1585) Features: Complementary to the 2SD1585(3DD1585). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -7.0 V

 9.3. Size:29K  shaanxi
3cd102.pdf

3CD1010

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD102,3CD103 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. The cover is insulation with three electrodes for 3CD102. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify

 9.4. Size:23K  shaanxi
3cd103.pdf

3CD1010

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD103PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JC

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top