3CD4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD4

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3CD4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD4 даташит

 ..1. Size:26K  shaanxi
 3cd4.pdf pdf_icon

3CD4

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD4 PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class JP, JT, JCT,

 0.1. Size:146K  china
 3cd42.pdf pdf_icon

3CD4

3CD42(TIP42) PNP A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.25 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 120 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 120 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

 0.2. Size:119K  china
 3cd4399.pdf pdf_icon

3CD4

3CD4399 PNP PCM TC=25 200 W ICM 30 A IB 7.5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 0.5 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=2mA 60 V V(BR)CEO ICE=2mA 60 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA IEBO VEB=4V 2.0 mA VBEsa

 0.3. Size:125K  china
 3cd438.pdf pdf_icon

3CD4

3CD438 PNP PCM 1.25 W ICM 4 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 45 V V(BR)CEO ICE=10mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=45V 0.1 mA ICEO VCE=45V 0.1 mA IEBO VEB=5.0V 1.0 mA IC=2.0A VCEsat 0.6 V IB=0.2A VCE=5.0V hFE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CD1375, 3CD150, 3CD205, 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 2SD2499, 3CD42, 3CD438, 3CD4399, 3CD5, 3CD6, 3CD6109, 3CD6124, 3CD6125