3CG5415 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3CG5415  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3CG5415

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG5415 даташит

 ..1. Size:120K  china
 3cg5415.pdf pdf_icon

3CG5415

3CG5415 PNP A B C D PCM 750 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 140 180 220 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 100 140 180 220 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=30V 10 A ICEO VCE=30V 50 A IEBO VEB=2V 10 A

Другие транзисторы: 3CG2907A, 3CG298, 3CG3, 3CG3906, 3CG4126, 3CG4403, 3CG5, 3CG5087, SS8050, 3CG56, 3CG560, 3CG561, 3CG562, 3CG562M, 3CG562TM, 3CG5T3Z, 3CG6