3CG561 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3CG561  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3CG561

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG561 даташит

 ..1. Size:189K  lzg
 3cg561.pdf pdf_icon

3CG561

2SB561(3CG561) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier. 2SD467(3DG467) Features Complementary pair with 2SD467(3DG467). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO -25 V V -20 V CEO V -5.0 V EBO I -0.7 A C

 9.1. Size:129K  china
 3cg56.pdf pdf_icon

3CG561

3CG56 PNP TO-92 SOT-23 SOT-223 PCM TA=25 mW 625 350 1000 Rj-a TA>25 5.0 2.8 8.0 mW/ ICM 0.5 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 V V(BR)CEO ICE=1mA 80 V ICBO IEB=0.1mA 4 A ICEO VCB=80V 0.1 A IEBO VCE=60V 0.1 A

 9.2. Size:113K  china
 3cg560.pdf pdf_icon

3CG561

3CG560 PNP PCM TA=25 500 mW ICM 500 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 450 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 450 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=360V 0.1 A ICEO VCE=360V 0.1 A IEBO VEB=5.0V 0.1 A VBEsat 0.9 IC=50mA V I

 9.3. Size:255K  china
 3cg562.pdf pdf_icon

3CG561

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG3906, 3CG4126, 3CG4403, 3CG5, 3CG5087, 3CG5415, 3CG56, 3CG560, TIP42, 3CG562, 3CG562M, 3CG562TM, 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624