Биполярный транзистор 3CG562M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG562M
Маркировка: HVAO_HVAY
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
3CG562M Datasheet (PDF)
3cg562m.pdf
2SA562M(3CG562M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. : h , 2SC1959M(3DG1959M) FEFeatures: Excellent h linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). FE
3cg562.pdf
2SB562(3CG562) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -25 V CBO V -20 V CEO V -5.0 V EBO I -1.0 A C I -1.5 A cp P 900 mW C T 150 j T -55150 stg
3cg562tm.pdf
2SA562TM(3CG562TM) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. : h ,1W , 2SC1959(3DG1959) FEFeatures: Excellent h linearity,1 watt amplifier application, complementary pair with
3cg56.pdf
3CG56 PNP TO-92 SOT-23 SOT-223 PCM TA=25 mW 625 350 1000 Rj-a TA>25 5.0 2.8 8.0 mW/ ICM 0.5 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 V V(BR)CEO ICE=1mA 80 V ICBO IEB=0.1mA 4 A ICEO VCB=80V 0.1 A IEBO VCE=60V 0.1 A
3cg560.pdf
3CG560 PNP PCM TA=25 500 mW ICM 500 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 450 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 450 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=360V 0.1 A ICEO VCE=360V 0.1 A IEBO VEB=5.0V 0.1 A VBEsat 0.9 IC=50mA V I
3cg561.pdf
2SB561(3CG561) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SD467(3DG467) Features: Complementary pair with 2SD467(3DG467). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V CBO-25 V V -20 V CEO V -5.0 V EBO I -0.7 A C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
