Биполярный транзистор 3CG636 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG636
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
3CG636 Datasheet (PDF)
..1. Size:112K china
3cg636.pdf
3cg636.pdf
3CG636 PNP PCM TA=25 830 mW ICM 1500 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 45 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
