3CG636. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG636

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG636

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG636 даташит

 ..1. Size:112K  china
 3cg636.pdf pdf_icon

3CG636

3CG636 PNP PCM TA=25 830 mW ICM 1500 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 45 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2

Другие транзисторы: 3CG562, 3CG562M, 3CG562TM, 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, D209L, 3CG640, 3CG6517, 3CG673, 3CG673A, 3CG698, 3CG708, 3CG709A, 3CG715