Справочник транзисторов. 3CG636

 

Биполярный транзистор 3CG636 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG636
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3CG636

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG636 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  china
 3cg636.pdf pdf_icon

3CG636

3CG636 PNP PCM TA=25 830 mW ICM 1500 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 45 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2

Другие транзисторы... 3CG562 , 3CG562M , 3CG562TM , 3CG5T3Z , 3CG6 , 3CG608 , 3CG608K , 3CG624 , BC556 , 3CG640 , 3CG6517 , 3CG673 , 3CG673A , 3CG698 , 3CG708 , 3CG709A , 3CG715 .

 

 
Back to Top

 


 
.