3CG636 Todos los transistores

 

3CG636 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG636
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de 3CG636

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3CG636 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  china
 3cg636.pdf pdf_icon

3CG636

3CG636 PNP PCM TA=25 830 mW ICM 1500 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 45 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2

Otros transistores... 3CG562 , 3CG562M , 3CG562TM , 3CG5T3Z , 3CG6 , 3CG608 , 3CG608K , 3CG624 , BC556 , 3CG640 , 3CG6517 , 3CG673 , 3CG673A , 3CG698 , 3CG708 , 3CG709A , 3CG715 .

 

 
Back to Top

 


 
.