3CG854S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG854S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для 3CG854S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG854S даташит

 ..1. Size:389K  lzg
 3cg854s.pdf pdf_icon

3CG854S

2SA854S(3CG854S) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General power amplifier applications. , , 2SC1741S(3DG1741S) Features Large I , Low V ,complements the 2SC1741S(3DG1741S). C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -40

 9.1. Size:109K  jiangsu
 3cg8551.pdf pdf_icon

3CG854S

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO 92L 3CG8551 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE Complementary to 3DG8051 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Vo

 9.2. Size:553K  jilin sino
 3cg8550.pdf pdf_icon

3CG854S

 9.3. Size:129K  china
 3cg857b.pdf pdf_icon

3CG854S

3CG857B(BC857B) PNP PCM TA=25 250 mW ICM 200 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.01mA 50 V V(BR)CEO ICE=10mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.001mA 5.0 V ICBO VCB=30V 15.0 A IEBO VEB=5.0V 0.1 A VBEsat 850 IC=100mA V IB=5mA VCEsat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG778A, 3CG790A, 3CG798, 3CG807-16, 3CG812, 3CG817A, 3CG838, 3CG844, A42, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B, 3CG893, 3CG9, 3CG9012, 3CG926