2N85 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N85

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: R78

 Аналоги (замена) для 2N85

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N85 даташит

 0.1. Size:56K  motorola
 mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf pdf_icon

2N85

 0.2. Size:95K  njs
 mtm2n85 mtm2n90 mtp2n90.pdf pdf_icon

2N85

 0.3. Size:792K  cn wxdh
 dhs042n85p.pdf pdf_icon

2N85

DHS042N85P 108A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.5m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 108A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 0.4. Size:467K  ncepower
 ncep012n85ll.pdf pdf_icon

2N85

NCEP012N85LL NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench II technology that is V =85V,I =400A DS D uniquely optimized to provide the most efficient high frequency R =1.0m , typical@ V =10V DS(ON) GS switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N845, 2N846, 2N846A, 2N846B, 2N847, 2N848, 2N849, 2N84A, 2SB817, 2N850, 2N851, 2N852, 2N858, 2N859, 2N86, 2N860, 2N861