2N85 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N85  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: R78

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2N85 datasheet

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2N85

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2N85

DHS042N85P 108A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.5m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 108A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 0.4. Size:467K  ncepower
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2N85

NCEP012N85LL NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench II technology that is V =85V,I =400A DS D uniquely optimized to provide the most efficient high frequency R =1.0m , typical@ V =10V DS(ON) GS switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination

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