2N85 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N85 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: R78
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2N85 datasheet
mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf
dhs042n85p.pdf
DHS042N85P 108A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.5m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 108A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low g
ncep012n85ll.pdf
NCEP012N85LL NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench II technology that is V =85V,I =400A DS D uniquely optimized to provide the most efficient high frequency R =1.0m , typical@ V =10V DS(ON) GS switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination
Otros transistores... 2N845, 2N846, 2N846A, 2N846B, 2N847, 2N848, 2N849, 2N84A, 2SB817, 2N850, 2N851, 2N852, 2N858, 2N859, 2N86, 2N860, 2N861
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
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BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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