Справочник транзисторов. 3DD13003H8D

 

Биполярный транзистор 3DD13003H8D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD13003H8D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13003H8D

 

 

3DD13003H8D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  crhj
 3dd13003h8d.pdf

3DD13003H8D 3DD13003H8D

NPN R 3DD13003 H8D 3DD13003 H8D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 60 W

 5.1. Size:183K  crhj
 3dd13003h1d.pdf

3DD13003H8D 3DD13003H8D

NPN R 3DD13003 H1D 3DD13003 H1D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 5.2. Size:151K  crhj
 3dd13003h6d.pdf

3DD13003H8D 3DD13003H8D

NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W

 5.3. Size:317K  crhj
 3dd13003h3d.pdf

3DD13003H8D 3DD13003H8D

R NPN 3DD13003H3D1 3DD13003H3D NPN VCEO 400 V IC 1.8 A Ptot TC=25

 5.4. Size:151K  wuxi china
 3dd13003h6d.pdf

3DD13003H8D 3DD13003H8D

NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top