3DD3150A8 - описание и поиск аналогов

 

3DD3150A8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD3150A8

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD3150A8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3150A8 даташит

 ..1. Size:153K  crhj
 3dd3150a8.pdf pdf_icon

3DD3150A8

 6.1. Size:346K  lzg
 3dd3150a.pdf pdf_icon

3DD3150A8

2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Switching regulator applications. Features High V , high speed switching, wide ASO. CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V

 7.1. Size:153K  crhj
 3dd3150 a8.pdf pdf_icon

3DD3150A8

 9.1. Size:151K  crhj
 3dd3145 a6.pdf pdf_icon

3DD3150A8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD3040A4, 3DD3040A6, 3DD3040A7, 3DD3055, 3DD31, 3DD3145A6, 3DD3145A8, 3DD3150A, 2SD669A, 3DD31A, 3DD31B, 3DD31C, 3DD31CT4, 3DD3320AN, 3DD3852, 3DD3853, 3DD4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.