Справочник транзисторов. 3DD3150A8

 

Биполярный транзистор 3DD3150A8 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD3150A8
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 3DD3150A8

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3150A8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  crhj
3dd3150a8.pdfpdf_icon

3DD3150A8

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 6.1. Size:346K  lzg
3dd3150a.pdfpdf_icon

3DD3150A8

2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Switching regulator applications. : Features: High V , high speed switching, wide ASO. CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V

 7.1. Size:153K  crhj
3dd3150 a8.pdfpdf_icon

3DD3150A8

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 9.1. Size:151K  crhj
3dd3145 a6.pdfpdf_icon

3DD3150A8

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W

Другие транзисторы... 3DD3040A4 , 3DD3040A6 , 3DD3040A7 , 3DD3055 , 3DD31 , 3DD3145A6 , 3DD3145A8 , 3DD3150A , TIP2955 , 3DD31A , 3DD31B , 3DD31C , 3DD31CT4 , 3DD3320AN , 3DD3852 , 3DD3853 , 3DD4 .

History: FC114 | 2SD1899-K | 2N3746 | BFY16

 

 
Back to Top

 


 
.