3DD3150A8 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 3DD3150A8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 3DD3150A8
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220AB

Аналоги (замена) для 3DD3150A8

3DD3150A8 Datasheet (PDF)

..1. Size:153K crhj
3dd3150a8.pdf

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

6.1. Size:346K lzg
3dd3150a.pdf

2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Switching regulator applications. : Features: High V , high speed switching, wide ASO. CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V

7.1. Size:153K crhj
3dd3150 a8.pdf

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

9.1. Size:151K crhj
3dd3145 a6.pdf

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W

9.2. Size:153K crhj
3dd3145 a8.pdf

NPN R 3DD3145 A8 3DD3145 A8 NPN VCEO 700 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 60

9.3. Size:148K crhj
3dd3145a6.pdf

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 50

9.4. Size:152K crhj
3dd3145a8.pdf

NPN R 3DD3145 A8 3DD3145 A8 NPN VCEO 700 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 60

9.5. Size:103K china
3dd31ct4.pdf

LJ2015-463DD31CT4 NPN P T =25 1 Wtot AI 3 ACI 5 ACMT 150 jmT -55~150 stgV I =1mA 100 V(BR)CBO CBV I =1mA 100 V(BR)CEO CEV I =1mA 5.0 V(BR)EBO EBI V =60V 50 ACEO CBI V =5V 0.1 mAEBO CEI =3ACV 1.2 VC

9.6. Size:138K lzg
3dd31a.pdf

TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power linear switching applications. : TIP32(3CD32) Features: Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit Symbol RatingUnitTIP31 40 V 5.

9.7. Size:138K lzg
3dd31.pdf

9.8. Size:358K lzg
3dd313.pdf

2SD313(3DD313) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 60 V CEO V 5.0 V EBO I 3.0 A C I 8.0 A CPP (T =25) 1.75 W C a P (T =25) 30 W C CT 150

9.9. Size:138K lzg
3dd31b.pdf