Справочник транзисторов. 3DG120

 

Биполярный транзистор 3DG120 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG120
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 3DG120

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  china
3dg120.pdfpdf_icon

3DG120

3DG120 NPN A B C D PCM 500 mW ICM 150 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.05 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.05 A

 9.1. Size:119K  china
3dg12.pdfpdf_icon

3DG120

3DG12 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A

 9.2. Size:120K  china
3dg121.pdfpdf_icon

3DG120

3DG121 NPN A B C D PCM 500 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.3. Size:119K  china
3dg122.pdfpdf_icon

3DG120

3DG122 NPN A B C D PCM 500 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.2 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

Другие транзисторы... 3DG1047 , 3DG110 , 3DG111 , 3DG112 , 3DG114B , 3DG1162 , 3DG117B , 3DG12 , 2SB817 , 3DG121 , 3DG1213 , 3DG1213A , 3DG122 , 3DG123S , 3DG130 , 3DG1317 , 3DG1318 .

 

 
Back to Top

 


 
.