3DG162 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG162  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG162

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG162 даташит

 ..1. Size:114K  china
 3dg162.pdf pdf_icon

3DG162

3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V

 0.1. Size:363K  foshan
 3dg1627a.pdf pdf_icon

3DG162

 0.2. Size:264K  foshan
 3dg1623.pdf pdf_icon

3DG162

2SC1623(3DG1623) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Audio frequency general amplifier application. h , V 2SA812(3CG812) /Features High h and V , complementary pair FE CEO, FE CEO with 2SA812(3CG812). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V

 0.3. Size:386K  foshan
 3dg1627af.pdf pdf_icon

3DG162

2SC1627AF(3DG1627AF) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Driver stage amplifier and voltage amplifier. 30 35W 2SA817AF(3CG817AF) Features Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(3CG817AF). /Absolute maximum ratings(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG140, 3DG1417, 3DG142, 3DG1473, 3DG1473A, 3DG150, 3DG160, 3DG161, 2N3773, 3DG1623, 3DG1627A, 3DG1627AF, 3DG1675, 3DG1740M, 3DG1740S, 3DG1741AM, 3DG1741S