3DG2102 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG2102  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG2102

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2102 даташит

 ..1. Size:115K  china
 3dg2102.pdf pdf_icon

3DG2102

 8.1. Size:118K  china
 3dg210.pdf pdf_icon

3DG2102

3DG210 NPN A B C PCM 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 100 120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 80 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.1 A VBEsat

 9.1. Size:262K  lzg
 3dg2120.pdf pdf_icon

3DG2102

Другие транзисторы: 3DG1959, 3DG1959M, 3DG19A, 3DG2001, 3DG2053, 3DG2058S, 3DG2060, 3DG210, C945, 3DG2120, 3DG2216, 3DG2216M, 3DG2218A, 3DG2219, 3DG2222, 3DG2222A, 3DG2229