Справочник транзисторов. 3DG2102

 

Биполярный транзистор 3DG2102 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG2102
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  china
 3dg2102.pdf pdf_icon

3DG2102

3DG2102 NPN A B C PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 80 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6 V ICBO VCE=10V 0.1 A VBEsat 1.2 Ic=500mA V IB=50mA VCEsat

 8.1. Size:118K  china
 3dg210.pdf pdf_icon

3DG2102

3DG210 NPN A B C PCM 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 100 120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 80 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.1 A VBEsat

 9.1. Size:262K  lzg
 3dg2120.pdf pdf_icon

3DG2102

2SC2120(3DG2120) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : h , 1W , 2SA950(3CG950)/Features: High h ,1 watts amplifier FEFE,applications, complementary pair with 2SA950(3CG950). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.