3DG2411K datasheet, аналоги, параметры транзистора

3DG2411K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG2411K 📄📄

Маркировка: HCP_HCQ_HCR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT23

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 3DG2411K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

3DG2411K даташит

..1. Size:313K lzg
3dg2411k.pdf pdf_icon

2SC2411K(3DG2411K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Medium power amplifier applications. , , 2SA1036K(3CG1036K) Features Large I , low V ,complementary pair with the 2SA1036K(3CG1036K). C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

8.1. Size:405K lzg
3dg2413k.pdf pdf_icon

2SC2413K(3DG2413K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Applications High-frequency amplifier applications. , Features Low collector capacitance. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA

8.2. Size:229K lzg
3dg2412k.pdf pdf_icon