3DG2655 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG2655  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG2655

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2655 даташит

 ..1. Size:253K  lzg
 3dg2655.pdf pdf_icon

3DG2655

 9.1. Size:151K  foshan
 3dg2668.pdf pdf_icon

3DG2655

 9.2. Size:235K  lzg
 3dg2610.pdf pdf_icon

3DG2655

2SC2610(3DG2610) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose High voltage amplifier, TV video output. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C P 800 mW C T 150 j T -55 150 stg

Другие транзисторы: 3DG2411K, 3DG2412K, 3DG2413K, 3DG2458, 3DG2482, 3DG2482HA1, 3DG2500, 3DG2610, A733, 3DG2668, 3DG27, 3DG2703, 3DG2710, 3DG2712, 3DG2714, 3DG2715, 3DG2717