Справочник транзисторов. 3DG2655

 

Биполярный транзистор 3DG2655 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG2655
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92L
 

 Аналог (замена) для 3DG2655

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2655 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  lzg
 3dg2655.pdf pdf_icon

3DG2655

2SC2655(3DG2655) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Power amplifier and switching applications. :,, 2SA1020(3CG1020)/Features: Low saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SA1020(3CG1020). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:151K  foshan
 3dg2668.pdf pdf_icon

3DG2655

2SC2668(3DG2668) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,,, Purpose: High frequency amplifier, FM,RF,MIX IF amplifier applications. :, Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.2. Size:235K  lzg
 3dg2610.pdf pdf_icon

3DG2655

2SC2610(3DG2610) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: High voltage amplifier, TV video output. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C P 800 mW CT 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 3DG2411K , 3DG2412K , 3DG2413K , 3DG2458 , 3DG2482 , 3DG2482HA1 , 3DG2500 , 3DG2610 , TIP31C , 3DG2668 , 3DG27 , 3DG2703 , 3DG2710 , 3DG2712 , 3DG2714 , 3DG2715 , 3DG2717 .

History: MUN2212 | MRF315A | DTS423 | DTS424

 

 
Back to Top

 


 
.