Биполярный транзистор 3DG2714 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2714
Маркировка: HQR_HQO_HQY
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT23
3DG2714 Datasheet (PDF)
3dg2714.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC2714(3DG2714) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High frequency amplifier applications. :, Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 30 V CEO V 4
3dg2710.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio amplifier applications. : , 2SA1150(3CG1150) Features: High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 35 V CBO
3dg2717.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h /Features: High gain, good linearity of h . FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I
3dg2717m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h /Features: High gain, good linearity of h . FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO
3dg2712.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC2712(3DG2712) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency general purpose amplifier applications. Features: High voltage, high current, high h , low noise, excellent h linearity. FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3dg2715.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC2715(3DG2715) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High frequency amplifier applications. : Features: High power gain, recommended for FM IF,OSC stage and AM CONV.IF stage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Sy
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
![3DG2714](https://alltransistors.com/images/us.png)
![3DG2714](https://alltransistors.com/images/es.png)
![3DG2714](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ