Справочник транзисторов. 3DG2714

 

Биполярный транзистор 3DG2714 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG2714
   Маркировка: HQR_HQO_HQY
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG2714

 

 

3DG2714 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  foshan
3dg2714.pdf

3DG2714
3DG2714

2SC2714(3DG2714) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High frequency amplifier applications. :, Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 30 V CEO V 4

 8.1. Size:223K  foshan
3dg2710.pdf

3DG2714
3DG2714

2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio amplifier applications. : , 2SA1150(3CG1150) Features: High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 35 V CBO

 8.2. Size:211K  foshan
3dg2717.pdf

3DG2714
3DG2714

2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h /Features: High gain, good linearity of h . FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

 8.3. Size:234K  foshan
3dg2717m.pdf

3DG2714
3DG2714

2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h /Features: High gain, good linearity of h . FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO

 8.4. Size:297K  foshan
3dg2712.pdf

3DG2714
3DG2714

2SC2712(3DG2712) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency general purpose amplifier applications. Features: High voltage, high current, high h , low noise, excellent h linearity. FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.5. Size:171K  foshan
3dg2715.pdf

3DG2714
3DG2714

2SC2715(3DG2715) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High frequency amplifier applications. : Features: High power gain, recommended for FM IF,OSC stage and AM CONV.IF stage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Sy

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top