Справочник транзисторов. 3DG302

 

Биполярный транзистор 3DG302 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG302
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 3DG302

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  china
 3dg302.pdf pdf_icon

3DG302

3DG302 NPN A B C PCM 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 IC=200mA

 0.1. Size:718K  jilin sino
 3dg3020.pdf pdf_icon

3DG302

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R3DG3020 MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A CV 450V CEOP (TO-92) 1W CP (IPAK) 10W CP (TO-126/DPAK) 20W C APPLICATIONS TO-92-FJ TO-126 Battery charger Electronic ballasts High

 0.2. Size:178K  crhj
 3dg3020a1.pdf pdf_icon

3DG302

NPN R 3DG3020 A1 3DG3020 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. Size:111K  china
 3dg3020.pdf pdf_icon

3DG302

3DG3020 NPN A B C PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DG2839 , 3DG2873 , 3DG2878 , 3DG2881 , 3DG2881A , 3DG2884 , 3DG2909 , 3DG2999 , 2SC2655 , 3DG3020 , 3DG3020A1 , 3DG3130 , 3DG3137 , 3DG3142 , 3DG3326 , 3DG3330 , 3DG3332 .

History: UN6114 | CP407 | 2SC3135U | MPSA17

 

 
Back to Top

 


 
.